P+F传感器NEN40-30GM60-E2-V1技术参数

P+F传感器NEN40-30GM60-E2-V1技术参数

P+F传感器NBN5-F7-E0原厂*，有原厂出库单，*，假一罚十，提供报关单，*，欢迎采购。

传感器中的电阻应变片具有金属的应变效应，即在外力作用下产生机械形变，从而使电阻值随之发生相应的变化。电阻应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。

压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加而增加这一特性来进行温度测量的。热电阻大都由纯金属材料制成，应用最多的是铂和铜，此外，已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。

热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合，这种传感器比较适用。较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等，它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于测量-200℃～+500℃范围内的温度。

LVL-T1-G3S-E5PG-NA       

NJ30+U1+E2   

NBB15-30GM50-WS      

NBN15-30GM50-E2      

NCN25-F35-A2-250-V1  

NBB15-30GM50-WO     

NBN15-30GM50-E0      

NBB20-L2-E2-V1    

NBN15-30GM40-Z0     

NBN4-12GM50-E0     

NJ1.5-8GM-N      

NBN4-12GM50-E2    

NJ2-12GM-N  

NBN4-12GM50-E0-V1